HMOS 傳感器基於(yú)某些金屬氧化物在目标氣體存在時電阻會發生變化的特性。這種電阻變化是由表面氧物質通過與目标氣體反應的損失或增加引起的。表面氧物質在材料中充當電子陷阱态,因此它們的濃度控制瞭(le)材料的電阻率。如果氧化物爲 n 型,CO 等還原性氣體會導緻表面氧損失、導帶電子增加和電阻降低。氧化性氣體如 O3 會導緻相反的行爲。對於(yú) p 型金屬氧化物,對目标氣體的電阻變化與 n 型相反。氣體濃度和電阻變化之間存在明確的關系,這導緻目标氣體濃度的測量。由於(yú)導緻金屬氧化物電阻變化的氣體反應發生在表面,因此表面積和孔隙率等材料參數對整體氣體敏感性有影響。